Intel, Micron Venture alkaa tehdä 34nm Flash-sirut

NAND-flash-muistia käytetään kappaleiden, elokuvien ja muiden levyjen tallentamiseen iPodeihin, iPhoniin ja valikoimaan muut kulutuselektroniikkatuotteet

Intel-Micron-yhteisyritys, IM Flash Technologies, odottaa, että 50 prosenttia siruista Lehissa, Utahissa, valmistetaan 34 nm: n tekniikasta tämän vuoden loppuun mennessä.

nanometri mittaus kuvaa pienimpien transistorien ja muiden sellaisten osien kokoa, jotka voidaan valmistaa yhdelle sirulle. Nanometrin mukaan on noin kolmesta kuuteen atomia, riippuen atomin tyypistä, ja mittarissa on miljardin nanometriä.

Taiwanin puolijohdekomponenttien valmistajat (TSMC) ja Intel tuottavat tällä hetkellä massatuotetta, joka käyttää teknologiaa pieni kuin 40nm - 45nm. Yleensä piirin transistorit ja lähempänä ne ovat yhdessä, sitä nopeammin siru voi suorittaa tehtäviä.

Yritysten on tehtävä suorituskyvyn lisäksi pienempiä ja halvempia siruja, koska ihmiset haluavat yhä pienempiä, halvempia laitteita.

IM Flash valmistaa 32G tavuista NAND: n pikselin kokoa sen 34nm: n tekniikalla ja odottaa, että pelimerkkejä käytetään pienissä kiinteässä osassa (SSD) tai flash-muistikorteissa, jotka on tarkoitettu tuotteisiin, mukaan lukien digitaalikamerat, digitaaliset videokamerat ja henkilökohtaiset musiikkisoittimet.

32G tavupiirit ovat monitasoisia soluja (MLC), mikä tarkoittaa, että ne voivat käsitellä enemmän uudelleenkirjoituksia kuin yhden tason solu (SLC) NAND-salama.

Samsung Electronics, maailmanlaajuinen suurin NAND-flash-muistisirun valmistaja, parhaillaan päivittää siru tehtaansa käyttämään 42nm-tekniikkaa ja aikoo aloittaa 30nm: n tuotannon ensi vuonna.

Yhtiö esitteli monitasoisen 64G-tavuisen NAND-muistisirun, joka on valmistettu 30nm: n valmistusteknologialla ast. vuosi