Car-tech

Samsung ja Toshiba etsivät suuria NAND Flash -nopeuksien lisäystä

Samsung V/s Panasonic V/s Toshiba -- Best 4k Resolution TV :: Buyers Guide 2019

Samsung V/s Panasonic V/s Toshiba -- Best 4k Resolution TV :: Buyers Guide 2019
Anonim

Samsung Electronics ja Toshiba totesivat keskiviikkona, että ne aikovat nostaa uuden tietomäärän NAND-flash-muistin tietojen nopeuden nopeuttamiseksi, jota käytetään tietojen tallentamiseen iPadista ja iPhonesta SSD-laitteisiin (Maailman kaksi suurinta NAND flash -muistipiirtäjä sitoutui kehittämään DDR (Double Data Rate) NAND-flash-muistia 400 megabittiä sekunnissa, mikä on nopeampi kuin 133Mbps tekniikan aikaisemmassa määrittelyssä ja kymmenen kertaa nopeammin kuin 40Mbps: n rajapinta perinteisillä NAND-flash-siruilla.

Teknologia, jota kutsutaan vaihteistottomuotoiseksi DDRksi, on myös kilpaileva ONFI: lle (Open NAND Flash Interface), jota tukevat Intel, Micron Technology a SanDisk.

ONFI voi toimittaa 166Mbps: n ja 200Mbps: n nopeudet ONFI-sivuston tietojen mukaan

"Molemmat toteutukset kohdistuvat samanlaisiin suorituskykyasteikkoihin", sanoo teollisuuden tutkijan Forward Insightsin toimitusjohtaja Gregory Wong. "ONFI: llä on pääkytkentä, koska se on perustettu aikaisemmin, mutta vaihtokytkentäinen DDR on hieman yhteensopiva standardin asynkronisen liitännän kanssa."

Hän sanoi, että näiden tekniikoiden käyttöönottovaihteluihin vaikuttaa toimitukset, ja koska Samsung ja Toshiba toimittaa lähes 70 prosenttia NAND flash -muistimarkkinoista, he voivat hyödyntää johtajuuttaan, jotta he voivat vaihtaa DDR-tekniikkaa.

Objective Analysis -työryhmän analyytikko Jim Handy sanoi, että NAND-sirujen nopeampi käyttöliittymä on tärkeä kasvava tietojenkäsittely, eikä vain musiikki, valokuvat, videot ja USB-asemat. Samsung, Toshiba ilmoitti, että nämä kaksi yritystä puuttuvat yhteensopivuusongelmiin toggle-mode DDR: ssa, hän lisäsi.

Uutislehdessä yritykset sanoivat odottavan, että älypuhelimet, tablet-PC: t ja SSD-laitteet ovat jatkuvasti laajempi valikoima tehokkaita NAND-siruja ja että NAND-flash-muistiin perustuvat uudet tuotteet perustuvat NAND-flash-muistin jatkuvaan päivitykseen.

Samsung viime kuussa esitteli ensimmäisen SSD: n, joka käyttää DDR NAND-salamaa muisti, 512 Gt: n laite, jonka lukunopeus on enintään 250 megatavua sekunnissa (MBps) ja 220 megatavua sekuntiainen kirjoitusnopeus.